FAMES pilot line (Fully Depleted SOI and Advanced Memory for European Semiconductors ) stärker Europas halvledarkapacitet genom att utveckla högpresterande, energieffektiva och hållbara kretsdesigner. Den är specialiserad på Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI)-teknologier vid 10 nm- och 7 nm-noder, med integrerade icke-flyktiga minnen (eNVM).
FAMES prioriterar också hållbarhet genom att använda återvinningsbara material och resursoptimerade processer för att minska miljöpåverkan.
